Показано 1 - 50 (всего 52 товаров) |
1
|
Сортировать по цене:
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWEКод товара: 75341 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В |
814,60740,50 руб.(c НДС) В наличии |
|
|
Оперативная память Kingston 32ГБ DDR4 3200 МГц KSM32RS4/32HCRКод товара: 401013 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
653,10593,70 руб.(c НДС) В наличии |
|
|
Оперативная память Kingston 32ГБ DDR4 3200 МГц KSM32RS4/32MFRКод товара: 483427 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
653,10593,70 руб.(c НДС) В наличии |
|
|
Оперативная память Kingston 32GB DDR4 PC4-21300 KSM26RS4/32HAIКод товара: 75410 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
1.661,601.510,50 руб.(c НДС) В наличии |
|
|
Оперативная память Micron 64GB DDR4 PC4-25600 MTA36ASF8G72PZ-3G2B2Код товара: 362882 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40BB4-CWEКод товара: 311459 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 64GB DDR4 PC4-25600 KSM32RD4/64HARКод товара: 75336 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200МГц M386A8K40DM2-CWEКод товара: 483378 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Lenovo 64GB DDR4 PC4-23400 4ZC7A08710Код товара: 77475 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40CM2-CTDКод товара: 77790 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 64GB DDR4 PC4-23400 KSM29RD4/64MERКод товара: 76064 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 64GB DDR4 PC4-23400 KSM29RD4/64HARКод товара: 74846 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-23400 M393A8G40MB2-CVFBYКод товара: 75035 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Micron 64GB DDR4 PC4-23400 MTA36ASF8G72PZ-2G9E1Код товара: 75926 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 20T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston Server Premier 32ГБ DDR4 2666 МГц KSM26RS4/32MFRКод товара: 502768 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40CM2-CTD7YКод товара: 77737 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4G40AB3-CWEКод товара: 75593 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston Server Premier 32GB DDR4 PC4-23400 KSM29RS4/32MERКод товара: 75574 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40BM2-CTD7QКод товара: 77738 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-23400 M393A8G40MB2-CVFКод товара: 75621 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 64GB DDR4 PC4-23400 KSM26RD4/64HARКод товара: 76044 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 64GB DDR4 PC4-23400 KSM29LQ4/64HCMКод товара: 311403 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40BM2-CTD6QКод товара: 77739 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 64GB DDR4 PC4-21300 KSM26LQ4/64HCIКод товара: 310999 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 64ГБ DDR4 2666 МГц KSM26RD4/64MFRКод товара: 483426 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 32GB DDR4 PC4-21300 KTL-TS426/32GКод товара: 363281 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 32GB DDR4 PC4-23400 KTH-PL429/32GКод товара: 401056 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40BM2-CTDКод товара: 75618 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Micron 64ГБ DDR4 3200 МГц MTA36ASF8G72PZ-3G2F1Код товара: 400963 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-19200 M392A4K40BM0-CRCКод товара: 77008 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 32GB DDR4 PC4-21300 KSM26RS4/32MEIКод товара: 75451 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 32ГБ DDR4 3200МГц KSM32RS4L/32MERКод товара: 465555 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 32GB DDR4 PC4-25600 KSM32RS4/32MERКод товара: 75545 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 32ГБ DDR4 3200МГц KSM32RS4L/32MFRКод товара: 465556 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR3 PC3-12800 M386B8G70DE0-CK0Код товара: 75333 64 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-23400 M393A4G40AB3-CVFКод товара: 76109 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 32GB DDR4 PC4-25600 KSM32RS4/32HARКод товара: 311425 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston Server Premier 32GB DDR4 PC4-23400 KSM29RS4/32HARКод товара: 311272 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 64GB DDR4 PC4-23400 KSM26RD4/64MERКод товара: 74988 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Micron 64GB DDR4 PC4-23400 MTA36ASF8G72PZ-2G9B1Код товара: 75716 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-19200 M386A8K40BM1-CRCКод товара: 77719 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40CM2-CVFКод товара: 77203 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Micron 32GB DDR4 PC4-23400 MTA18ASF4G72PZ-2G9E1Код товара: 76077 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-21300 M393A4K40CB2-CTD6YКод товара: 76701 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Micron 64GB DDR4 PC4-23400 MTA72ASS8G72LZ-2G9Код товара: 77395 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40BM2-CTD7YКод товара: 77363 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-40, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 32GB DDR4 PC4-23400 KTL-TS429/32GКод товара: 401243 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M393A8G40MB2-CTDКод товара: 77794 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 64GB DDR4 PC4-21300 KSM26LQ4/64HCMКод товара: 362555 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Lenovo 32GB DDR4 PC4-23400 4ZC7A08742Код товара: 77722 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
Показано 1 - 50 (всего 52 товаров) |
1
|
Сортировать:
|
|